NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。

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更新時間：2025-09-17
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IBE離子束刻蝕系統(tǒng)

NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕產(chǎn)品概述：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量，否則光刻膠將變得非常難以去除。

NANO-MASTER技術(shù)已經(jīng)證明了可以把基片溫度控制在50° C以內(nèi)的同時，旋轉(zhuǎn)晶圓片以達到想要的均勻度。

NIE-4000（M）IBE離子束刻蝕產(chǎn)品特點：

14.5”不銹鋼立體離子束腔體
16cm DC離子槍1200eV,650mA, 氣動不銹鋼遮板
離子束中和器
氬氣MFC
6”水冷樣品臺
晶片旋轉(zhuǎn)速度3、10RPM，真空步進電機
步進電機控制晶圓片傾斜
手動上下載晶圓片
典型刻蝕速率：銅200 ?/min, 硅：500 ?/min
6”范圍內(nèi)，刻蝕均勻度+/-3%
極限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)可達到10-6Torr級別（配套500 l/s渦輪分子泵）
配套1000 l/s渦輪分子泵，極限真空可達8x10-8Torr
磁控濺射Si3N4以保護被刻蝕金屬表面被氧化
基于LabView軟件的PC計算機全自動控制
菜單驅(qū)動，4級密碼訪問保護
完整的安全聯(lián)鎖

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